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Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
4
8
V GS = -3.5 V
3
V GS = -2.5 V
V GS = -3 V
6
2
V GS = -3.5 V
4
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -3 V
2
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -2.5 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -4.5 V
V GS = -10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4 6
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
600
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.8
I D = - 2.1 A
V GS = -10 V
500
I D = -2.1 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
400
300
200
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
100
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
10
20
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
6
V DS = -5 V
1
T J = 150 o C
4
0.1
T J = 25 o C
2
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC3535 Rev. C
3
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